La banda D de Raman del grafeno irradiado: Origen de la dependencia no monótona de su intensidad con la concentración de defectos
Contenido principal del artículo
Resumen
La espectroscopía Raman es una de las técnicas experimentales más usadas en el estudio de las nano-estructuras de carbono irradiadas, en particular del grafeno, debido a su alta sensibilidad a la presencia de defectos en la red cristalina. Una atención especial ha recibido la variación de la intensidad de la banda D de los espectros Raman del grafeno con la concentración de defectos producida por la irradiación. Hoy día hay suficientes evidencias experimentales sobre el carácter no monótono de esa dependencia, pero la explicación de ese comportamiento todavía es polémica. En el presente trabajo se desarrolló un modelo matemático simplificado para obtener una relación funcional entre estas dos magnitudes y se demostró que la dependencia no-monótona es intrínseca a la naturaleza de la banda D y que no está ligada necesariamente a procesos de amorfización. La dependencia funcional obtenida fue utilizada para ajustar datos experimentales obtenidos por otros autores. Se obtuvo un ajuste con un coeficiente de determinación.
Detalles del artículo
Cómo citar
Codorniu Pujals, D. (1). La banda D de Raman del grafeno irradiado: Origen de la dependencia no monótona de su intensidad con la concentración de defectos. Nucleus, (53). Recuperado a partir de http://nucleus.cubaenergia.cu/index.php/nucleus/article/view/579
Número
Sección
Ciencias Nucleares
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