El estudio del daño radiacional en los materiales en el Centro de Aplicaciones Tecnológicas y Desarrollo Nuclear (CEADEN)

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Carlos M. Cruz Inclán
Antonio Leyva Fabelo

Resumen

El Laboratorio de Daño del Centro de Aplicaciones Tecnológicas y Desarrollo Nuclear (CEADEN) acumula más 30 años de experiencia en las investigaciones en la temática del daño radiacional en los materiales. Por la mira del grupo han pasado multitud de blancos: superconductores de altas temperaturas, diferentes nanoestructuras, semiconductores clásicos y avanzados, perovskitas, dispositivos detectores de radiaciones, etc. Fuentes de rayos gamma, electrones de altas energías, iones pesados, etc., han sido empleadas en las investigaciones. Múltiples técnicas de caracterización y simulación, modernas metodologías de cálculo han estado en las manos de los especialistas para hacer su trabajo. Centenares de publicaciones y participaciones en eventos científicos, cuatro Premios Nacionales de la ACC, dos medallas Carlos J. Finlay, y otros, más una encomiable labor docente, son parte de los resultados del colectivo. Una muy resumida historia de esta trayectoria científica dentro de la línea de trabajo de este Laboratorio es presentada en este trabajo.

Detalles del artículo

Cómo citar
Cruz Inclán, C. M., & Leyva Fabelo, A. (2023). El estudio del daño radiacional en los materiales en el Centro de Aplicaciones Tecnológicas y Desarrollo Nuclear (CEADEN). Nucleus, (73), 46-51. Recuperado a partir de http://nucleus.cubaenergia.cu/index.php/nucleus/article/view/786
Sección
Ciencias Nucleares

Citas

[1] LEYVA A, CRUZ C, ARAGÓN B, SUÁREZ JC, MORA M. Obtención de cerámicas superconductoras con el empleo de reactivos cubanos. Optimización del método de síntesis. Reporte de la Comisión de Energía Atómica de Cuba. CEAC-R 1/91. p. 1-11.
[2] DARIAS J, CARRILLO E, CASTILLO R, ARTECHE J, et al. Sistema de descarga de arco sumergida para la síntesis de nanoonions de carbono multicapas. Revista Cubana de Física. 2011; 28(1): 2-3. https://doi.org/10.1016/B0-12-227410-5/00411-7.
[3] AYZENSHTAT GI, BUDNITSKY DL, KORETSKAYA OB, NOVIKOV VA, et. al. GaAs resistor structures for X-ray imaging detectors. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2002; 487: 96-101. https://doi.org/10.1016/S0168-9002(02)00951-8.
[4] WATERS LS, McKINNEY GW, DURKEE JW, FENSIN ML, et. al. The MCNPX Monte Carlo Radiation Transport Code. AIP Conference Proceedings, 2007; 896(1): 81. https://doi.org/10.1063/1.2720459.
[5] ZIEGLER JF, ZIEGLER MD and BIERSACK JP. SRIM the stopping and range of ions in matter. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. 2010; 268(11-12): 1818-1823. https://doi.org/10.1016/j.nimb.2010.02.091.
[6] PIÑERA I. Simulation of atom displacements distribution profiles induced by photons and electrons in solid materials [tesis doctoral]. Departamento de Física, Universidad de Amberes, Bélgica. Abril, 2014. Identifier: c:irua:116687. https://hdl.handle.net/10067/1166870151162165141.
[7] CRUZ CM, PIÑERA I, CORREA C, ABREU Y, et. al MCSAD: Monte Carlo Simulation of Atom Displacements induced by Fast Electrons in Solids. IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record. Valencia, Spain, 2011; RTSD.S-282: 4622-4626. DOI: 10.1109/NSSMIC.2011.6154746
[8] LEYVA A. Efectos de las Radiaciones Gamma sobre Cerámicas Superconductoras de interés en las tecnologías nucleares [tesis doctoral]. Facultad de Física, Universidad de La Habana. Cuba. Abril, 2014.
[9] LAGE J, LEYVA A, TOLEDO C, PIÑERA I, et. al. Electrical resistance behavior with gamma radiation dose in bulk carbon nanostructured samples. Proceedings of the XIV Workshop on Nuclear Physics and VIII International Symposium on Nuclear and Related Techniques. WONP-NURT'2013. Havana, Cuba. February 5-8, 2013. Identifier: PS-RP24: 141-144. ISBN 978-959-7136-98-9.
[10] LEYVA A, LEYVA D, RUBIERA JA, CRUZ CM, et. al. Study by Raman Spectroscopy of the induced radiation damage in GaAs:Cr exposed to 20 MeV electron beam. Revista Cubana de Física. 2021; 38(1): 4-9.
[11] KRUCHONAK U, ABOU EL-AZM S, AFANACIEV K, CHELKOV, et. al. Radiation hardness of GaAs:Cr and Si sensors irradiated by electron beam. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2020; 975: 164204-164214. doi: 10.1016/j.nima.2020.164204.
[12] ABU AL AZM SM, CHELKOV G, KOZHEVNIKOV D, GUSKOV A, et. al. Response of Timepix detector with GaAs:Cr and Si sensor to heavy ions. Physics of Particles and Nuclei Letters. 2016; 13(3): 363-369.
[13] LEYVA A, RUBIERA JA, LEYVA D, PIÑERA I, et. al. Monte Carlo simulation of the radiation transport in chromium compensated gallium arsenide detectors. Nucleus, 2018; (64): 19-23.
[14] GONZÁLEZ E, ABREU Y, CRUZ CM, PIÑERA I, et. al. Molecular-dynamics simulation of threshold displacement energies in BaTiO3. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. 2015; 358: 142-145. https://doi.org/10.1016/j.nimb.2015.06.015
[15] ABREU ALFONSO Y. Hyperfine parameters and radiation damage in semiconductors and superconducting materials. [tesis doctoral]. Departamento de Física, Universidad de Amberes, Bélgica. Abril, 2014. Identifier: c:irua:116686. https://hdl.handle.net/10067/1166860151162165141
[16] CRUZ CM, LEYVA A. Estudio de la respuesta al daño radiacional gamma de materiales cerámicos superconductores. Premio de la Academia de Ciencias de Cuba 2002. la Habana, Cuba.
[17] PIÑERA I, CRUZ CM, LEYVA A, ABREU Y. Método clásico asistido por Monte Carlo para la evaluación del daño radiacional en materiales sólidos. Premio de la Academia de Ciencias de Cuba 2012. La Habana, Cuba.
[18] ABREU Y, CRUZ CM, PIÑERA I, LEYVA A, et. al. Estudio teórico de los parámetros hiperfinos y del daño radiacional en materiales semiconductores y superconductores. Premio de la Academia de Ciencias de Cuba 2016. La Habana, Cuba.
[19] CRUZ CM, PIÑERA I, LEYVA A, ABREU Y, et. al. Simulación numérica de procesos de desplazamientos atómicos inducidos por las radiaciones gamma y electrónica: herramientas y sistemática. Premio de la Academia de Ciencias de Cuba 2016. La Habana, Cuba.
[20] CRUZ CM, PIÑERA I, LEYVA A, ABREU Y. Studies on the Gamma Radiation Responses of High Tc Superconductors. In: Superconductor. Chapter 7. p.135-160. 2010. doi: 10.5772/10122.

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