Cálculo de la sección transversal de desplazamiento y la distribución de los DPA en detectores semiconductores de silicio amorfo hidrogenado en aplicaciones de imagenología digital médica
Contenido principal del artículo
Resumen
Utilizando la aproximación de Mott-McKinley-Feshbach en el trabajo se calculó la dependencia de la sección transversal de desplazamiento para cada especie de átomo de la estructura del a-Si:H en los intervalos de energía típicos de los electrones secundarios generados por los rayos X empleados en aplicaciones de imagenología médica. Se observó que para energías de los electrones superiores a 1,52 keV son posibles los desplazamientos de átomos de hidrógeno, mientras que la energía umbral de desplazamiento de los átomos de silicio resultó de 126 keV. Estos resultados se compararon con los obtenidos para detectores similares pero fabricados de silicio cristalino. Con el empleo de la simulación matemática del transporte de la radiación en la materia se calculó el especto energético de los electrones secundarios con el objetivo de estimar el número de desplazamientos por átomos que tienen lugar en el dispositivo amorfo semiconductor en régimen de trabajo. La distribución espacial de los dpa en el volumen del detector, así como su comportamiento con la profundidad son presentados
y discutidos en el texto.
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Detalles del artículo
Cómo citar
Leyva Fabelo, A., Piñera Hernández, I., Shtejer Díaz, K., Abreu Alfonso, Y., & Cruz Inclán, C. M. (1). Cálculo de la sección transversal de desplazamiento y la distribución de los DPA en detectores semiconductores de silicio amorfo hidrogenado en aplicaciones de imagenología digital médica. Nucleus, (41). Recuperado a partir de http://nucleus.cubaenergia.cu/index.php/nucleus/article/view/493
Número
Sección
Ciencias Nucleares
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